BSP317P H6327

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-223-4

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

250 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

430 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

- 15.1 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.8 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.6 mm

Länge:

6.5 mm

Serie:

BSP317

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

3.5 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

380 mS

Abfallzeit:

67 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

11.1 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

254 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5.7 ns

Teil # Aliase:

BSP317PH6327XTSA1 SP001058758

Gewichtseinheit:

0.003951 oz

Tags

BSP317P, BSP317, BSP31, BSP3, BSP