DMP21D0UFD-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

X1-DFN1212-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.14 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

495 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

1.5 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

930 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

DMP21

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

18.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

8 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

31.7 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7.1 ns

Gewichtseinheit:

0.000035 oz

Tags

DMP21D0UF, DMP21D0, DMP21D, DMP21, DMP2, DMP