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IPI057N08N3 G

IPI057N08N3 G
Mfr. #:
IPI057N08N3 G
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET N-Ch 80V 80A I2PAK-3
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IPI057N08N3 G Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Infineon
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-262-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
80 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
80 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
5.7 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Pd - Verlustleistung:
150 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Rohr
Höhe:
9.45 mm
Länge:
10.2 mm
Serie:
IPI057N08
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
4.5 mm
Marke:
Infineon-Technologien
Abfallzeit:
10 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
66 ns
Werkspackungsmenge:
500
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
38 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
18 ns
Teil # Aliase:
IPI057N08N3GXKSA1
Gewichtseinheit:
0.084199 oz
Tags
IPI057, IPI05, IPI0, IPI
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ponent Stockers USA
80 A 80 V 0.0057 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-262AA
***el Electronic
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 80V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3
***ment14 APAC
MOSFET, N CH, 80A, 80V, PG-TO262-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):4.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.8V; Power Dissipation Pd:150W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-262; No. of Pins:3; Current Id Max:80A; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IPI057N08N3 G
DISTI # IPI057N08N3G-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 500
Container: Tube		Limited Supply - Call
    IPI057N08N3 G
    DISTI # 726-IPI057N08N3G    		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 80V 80A I2PAK-3
    RoHS: Compliant    		0
      Bild Teil # Beschreibung
      IPI057N08N3 G

      Mfr.#: IPI057N08N3 G

      OMO.#: OMO-IPI057N08N3-G

      		 MOSFET N-Ch 80V 80A I2PAK-3
      IPI057N08N3

      Mfr.#: IPI057N08N3

      OMO.#: OMO-IPI057N08N3-1190

      		 Neu und Original
      IPI057N08N3 G

      Mfr.#: IPI057N08N3 G

      OMO.#: OMO-IPI057N08N3-G-INFINEON-TECHNOLOGIES

      		 MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
      IPI057N08N3G

      Mfr.#: IPI057N08N3G

      OMO.#: OMO-IPI057N08N3G-1190

      		 Neu und Original
      Verfügbarkeit
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      Available
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      4500
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