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STGW75M65DF2

STGW75M65DF2
Mfr. #:
STGW75M65DF2
Hersteller:
STMicroelectronics
Beschreibung:
IGBT Transistors PTD HIGH VOLTAGE
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
STGW75M65DF2 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
STGW75M65DF2 Mehr Informationen STGW75M65DF2 Product Details
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
STMicroelectronics
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Paket / Koffer:
TO-247-3
Montageart:
Durchgangsloch
Aufbau:
Single
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
650 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:
1.65 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:
20 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 C:
120 A
Pd - Verlustleistung:
468 W
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Serie:
STGW75M65DF2
Kontinuierlicher Kollektorstrom Ic Max:
120 A
Marke:
STMicroelectronics
Gate-Emitter-Leckstrom:
+/- 250 uA
Produktart:
IGBT-Transistoren
Werkspackungsmenge:
600
Unterkategorie:
IGBTs
Gewichtseinheit:
0.211644 oz
Tags
STGW, STG
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs
STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. They have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
STGW75M65DF2
DISTI # 497-16974-ND		STMicroelectronicsTRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Min Qty: 1
Container: Tube		600In Stock
  • 2500:$2.9120
  • 500:$3.6254
  • 100:$4.2588
  • 25:$4.9140
  • 10:$5.1980
  • 1:$5.7900
STGW75M65DF2
DISTI # STGW75M65DF2		STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N 650V 120A 3-Pin TO-247 Tube - Rail/Tube (Alt: STGW75M65DF2)
RoHS: Compliant
Min Qty: 600
Container: Tube		Americas - 0
  • 6000:$2.5900
  • 3000:$2.6900
  • 1800:$2.7900
  • 1200:$2.8900
  • 600:$3.0900
STGW75M65DF2
DISTI # STGW75M65DF2		STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N 650V 120A 3-Pin TO-247 Tube (Alt: STGW75M65DF2)
Min Qty: 1
Container: Tube		Europe - 0
  • 1000:€3.4900
  • 500:€3.6900
  • 100:€3.8900
  • 50:€3.9900
  • 25:€4.1900
  • 10:€4.3900
  • 1:€4.7900
STGW75M65DF2
DISTI # 20AC4225		STMicroelectronicsPTD HIGH VOLTAGE
RoHS: Not Compliant		0
  • 1:$2.6000
STGW75M65DF2
DISTI # 511-STGW75M65DF2		STMicroelectronicsIGBT Transistors PTD HIGH VOLTAGE
RoHS: Compliant		585
  • 1:$5.5000
  • 10:$4.6800
  • 100:$4.0500
  • 250:$3.8400
  • 500:$3.4500
Bild Teil # Beschreibung
HGTG30N60A4D

Mfr.#: HGTG30N60A4D

OMO.#: OMO-HGTG30N60A4D

 IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series
HGTG30N60A4D

Mfr.#: HGTG30N60A4D

OMO.#: OMO-HGTG30N60A4D-ON-SEMICONDUCTOR

 IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series
Verfügbarkeit
Aktie:
595
Auf Bestellung:
2578
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
5,50 $
5,50 $
10
4,68 $
46,80 $
100
4,05 $
405,00 $
250
3,84 $
960,00 $
500
3,45 $
1 725,00 $
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