NTLJF3117PTAG

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

WDFN-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

150 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

710 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.75 mm

Länge:

2 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

1 P-Channel

Typ:

Leistungs-MOSFET

Breite:

2 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

3.1 S

Abfallzeit:

19.1 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

13.2 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

13.7 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5.2 ns

Tags

NTLJF3117PT, NTLJF3117P, NTLJF3117, NTLJF3, NTLJF, NTLJ, NTL