DMG9926UDM-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-26-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4.2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

22 mOhms, 22 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

500 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

8.3 nC, 8.3 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

980 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

DMG9926

Transistortyp:

2 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

8.9 ns, 8.9 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

8.2 ns, 8.2 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

40.4 ns, 40.4 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

8.4 ns, 8.4 ns

Gewichtseinheit:

0.000529 oz

Tags

DMG9926UDM-7, DMG9926UD, DMG992, DMG99, DMG9, DMG