CSD75205W1015

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Texas Instruments

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

DSBGA-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

95 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

6 V

Qg - Gate-Ladung:

1.6 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

750 mW (3/4 W)

Aufbau:

Dual

Handelsname:

NexFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.625 mm

Länge:

1.5 mm

Serie:

CSD75205W1015

Transistortyp:

2 P-Channel

Breite:

1 mm

Marke:

Texas Instruments

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

5 S

Abfallzeit:

17 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

5.3 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

32 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6.3 ns

Gewichtseinheit:

0.000060 oz

Tags

CSD7520, CSD752, CSD75, CSD7, CSD