OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Hallo, melde dich anMein Konto
0 Wagen

SI4464DY-T1-E3

SI4464DY-T1-E3
Mfr. #:
SI4464DY-T1-E3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI4464DY-T1-E3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
SI4464DY-T1-E3 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay Siliconix
Produktkategorie
FETs - Einzeln
Serie
GrabenFETR
Verpackung
Digi-ReelR Alternative Verpackung
Teil-Aliasnamen
SI4464DY-T1
Gewichtseinheit
0.006596 oz
Montageart
SMD/SMT
Handelsname
TrenchFET
Paket-Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technologie
Si
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Lieferanten-Geräte-Paket
8-SO
Aufbau
Single
FET-Typ
MOSFET N-Kanal, Metalloxid
Leistung max
1.5W
Transistor-Typ
1 N-Channel
Drain-zu-Source-Spannung-Vdss
200V
Eingangskapazität-Ciss-Vds
-
FET-Funktion
Standard
Strom-Dauer-Drain-Id-25°C
1.7A (Ta)
Rds-On-Max-Id-Vgs
240 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs-th-Max-Id
4V @ 250μA
Gate-Lade-Qg-Vgs
18nC @ 10V
Pd-Verlustleistung
1.5 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
12 ns
Anstiegszeit
12 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
1.7 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
200 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
240 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
15 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
10 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SI4464DY-T1, SI4464D, SI4464, SI446, SI44, SI4
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Si4 MOSFETs
Vishay/Siliconix Si4 MOSFETs are TrenchFET® power MOSFETs used for amplifying electronic signals. These Si4 MOSFETs are available in N-channel, P-channel, and N- & P-channel. The Si4 MOSFETs offer different VGS, VDS, and temperature ranges. The Si4 MOSFETs operate in an enhancement mode and used for switching between electronic signals. These MOSFETs are a surface mount, 100% Rg and UIS tested, and comes in a reel-package.Learn More
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI4464DY-T1-E3
DISTI # SI4464DY-T1-E3CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		12459In Stock
  • 1000:$0.5646
  • 500:$0.7151
  • 100:$0.9221
  • 10:$1.1670
  • 1:$1.3200
SI4464DY-T1-E3
DISTI # SI4464DY-T1-E3DKR-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		12459In Stock
  • 1000:$0.5646
  • 500:$0.7151
  • 100:$0.9221
  • 10:$1.1670
  • 1:$1.3200
SI4464DY-T1-E3
DISTI # SI4464DY-T1-E3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		10000In Stock
  • 2500:$0.5116
SI4464DY-T1-E3
DISTI # SI4464DY-T1-E3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI4464DY-T1-E3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape and Reel		Europe - 0
  • 2500:€0.7209
  • 5000:€0.4919
  • 10000:€0.4229
  • 15000:€0.3909
  • 25000:€0.3639
SI4464DY-T1-E3
DISTI # SI4464DY-T1-E3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4464DY-T1-E3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 2500
Container: Reel		Americas - 0
  • 2500:$0.4519
  • 5000:$0.4389
  • 10000:$0.4209
  • 15000:$0.4089
  • 25000:$0.3979
SI4464DY-T1-E3
DISTI # 35K3467		Vishay IntertechnologiesN CH MOSFET, FULL REEL,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:1.7A,Drain Source Voltage Vds:200V,On Resistance Rds(on):195mohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:2V,Power Dissipation Pd:2.5W , RoHS Compliant: Yes0
  • 1:$0.6250
  • 2500:$0.6200
  • 5000:$0.6020
  • 10000:$0.5790
SI4464DY-T1-E3
DISTI # 06J7747		Vishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:1.7A,Drain Source Voltage Vds:200V,On Resistance Rds(on):195mohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:2V,Power Dissipation Pd:2.5W , RoHS Compliant: Yes0
  • 1:$1.4000
  • 10:$1.1500
  • 25:$1.0600
  • 50:$0.9710
  • 100:$0.8820
  • 250:$0.8200
  • 500:$0.7580
SI4464DY-T1-E3
DISTI # 70026108		Vishay SiliconixMOSFET,Power,N-Ch,VDSS 200V,RDS(ON) 0.195Ohm,ID 1.7A,SO-8,PD 1.5W,VGS +/-20V
RoHS: Compliant		1091
  • 1:$0.9700
  • 25:$0.9300
  • 100:$0.8500
  • 250:$0.8000
  • 500:$0.7300
SI4464DY-T1-E3
DISTI # 781-SI4464DY-T1-E3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 200V Vds 20V Vgs SO-8
RoHS: Compliant		1514
  • 1:$1.4000
  • 10:$1.1500
  • 100:$0.8820
  • 500:$0.7580
  • 1000:$0.5990
  • 2500:$0.5590
  • 5000:$0.5310
  • 10000:$0.5190
SI4464DY-T1-E3Vishay Intertechnologies 
RoHS: Compliant		2250Cut Tape/Mini-Reel
  • 1:$0.7300
  • 250:$0.6300
  • 500:$0.6200
  • 750:$0.6150
  • 1500:$0.5950
SI4464DY-T1-E3Vishay IntertechnologiesSingle N-Channel 200 V 0.24 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
RoHS: Compliant		12500Reel
  • 2500:$0.5350
SI4464DY-T1-E3Vishay Intertechnologies 2068
    SI4464DY-T1-E3Vishay IntertechnologiesINSTOCK2910
      SI4464DY-T1-E3Vishay SemiconductorsINSTOCK2910
        SI4464DY-T1-E3
        DISTI # XSFP00000063472        		Vishay Siliconix 
        RoHS: Compliant        		6680
        • 2500:$1.4600
        • 6680:$1.3300
        Bild Teil # Beschreibung
        SI4464DY-T1-E3

        Mfr.#: SI4464DY-T1-E3

        OMO.#: OMO-SI4464DY-T1-E3

        		 MOSFET 200V Vds 20V Vgs SO-8
        SI4464DY-T1-GE3

        Mfr.#: SI4464DY-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SI4464DY-T1-GE3

        		 MOSFET 200V Vds 20V Vgs SO-8
        SI4464DY-T1-E3-CUT TAPE

        Mfr.#: SI4464DY-T1-E3-CUT TAPE

        OMO.#: OMO-SI4464DY-T1-E3-CUT-TAPE-1190

        		 Neu und Original
        SI4464DY-T1

        Mfr.#: SI4464DY-T1

        OMO.#: OMO-SI4464DY-T1-1190

        		 Neu und Original
        SI4464DY-T1-E3

        Mfr.#: SI4464DY-T1-E3

        OMO.#: OMO-SI4464DY-T1-E3-VISHAY

        		 MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
        SI4464DY-T1-GE3

        Mfr.#: SI4464DY-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SI4464DY-T1-GE3-VISHAY

        		 MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
        SI4464DY-TI-E3

        Mfr.#: SI4464DY-TI-E3

        OMO.#: OMO-SI4464DY-TI-E3-1190

        		 Neu und Original
        Verfügbarkeit
        Aktie:
        Available
        Auf Bestellung:
        3500
        Menge eingeben:
        Der aktuelle Preis von SI4464DY-T1-E3 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
        Referenzpreis (USD)
        Menge
        Stückpreis
        ext. Preis
        1
        0,60 $
        0,60 $
        10
        0,57 $
        5,68 $
        100
        0,54 $
        53,84 $
        500
        0,51 $
        254,25 $
        1000
        0,48 $
        478,60 $
        Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
        Beginnen mit
        Top