BSL806N L6327

BSL806N L6327
Mfr. #:
BSL806N L6327
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
IGBT Transistors MOSFET N-Ch 20V 2.3A TSOP-6
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
BSL806N L6327 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Infineon-Technologien
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Serie
BSL806
Verpackung
Spule
Teil-Aliasnamen
BSL806NL6327HTSA1 SP000464844
Gewichtseinheit
0.000705 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
TSOP-6
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
2 Channel
Aufbau
Dual
Transistor-Typ
2 N-Channel
Pd-Verlustleistung
500 mW
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
3.7 ns
Anstiegszeit
9.9 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
8 V
ID-Dauer-Drain-Strom
2.3 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
20 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
57 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
12 nS
Qg-Gate-Ladung
1.7 nC
Tags
BSL806NL, BSL806, BSL8, BSL
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***i-Key
MOSFET 2N-CH 20V 2.3A 6TSOP
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
BSL806NL6327HTSA1
DISTI # BSL806NL6327HTSA1TR-ND
Infineon Technologies AGMOSFET 2N-CH 20V 2.3A 6TSOP
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    BSL806NL6327HTSA1
    DISTI # BSL806NL6327HTSA1CT-ND
    Infineon Technologies AGMOSFET 2N-CH 20V 2.3A 6TSOP
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)
    Limited Supply - Call
      BSL806NL6327HTSA1
      DISTI # BSL806NL6327HTSA1DKR-ND
      Infineon Technologies AGMOSFET 2N-CH 20V 2.3A 6TSOP
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®
      Limited Supply - Call
        BSL806N L6327
        DISTI # 726-BSL806NL6327
        Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 20V 2.3A TSOP-6
        RoHS: Compliant
        1236
        • 1:$0.7400
        • 10:$0.5270
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        BSL806NL6327Infineon Technologies AGSmall Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
        RoHS: Compliant
        3921
        • 1000:$0.1600
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        • 1:$0.2000
        BSL806NL6327HTSA1Infineon Technologies AGSmall Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
        RoHS: Compliant
        21000
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        Bild Teil # Beschreibung
        BSL806NH6327XTSA1

        Mfr.#: BSL806NH6327XTSA1

        OMO.#: OMO-BSL806NH6327XTSA1

        MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
        BSL806N

        Mfr.#: BSL806N

        OMO.#: OMO-BSL806N-1190

        Neu und Original
        BSL806N H6327

        Mfr.#: BSL806N H6327

        OMO.#: OMO-BSL806N-H6327-1190

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        BSL806N6327

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        BSL806NH6327

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        OMO.#: OMO-BSL806NH6327-1190

        Neu und Original
        BSL806NL6327

        Mfr.#: BSL806NL6327

        OMO.#: OMO-BSL806NL6327-1190

        Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
        BSL806NL6327HTSA1

        Mfr.#: BSL806NL6327HTSA1

        OMO.#: OMO-BSL806NL6327HTSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

        MOSFET 2N-CH 20V 2.3A 6TSOP
        BSL806NH6327XTSA1

        Mfr.#: BSL806NH6327XTSA1

        OMO.#: OMO-BSL806NH6327XTSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

        MOSFET 2 N-CH 20V 2.3A TSOP6-6
        BSL806N L6327

        Mfr.#: BSL806N L6327

        OMO.#: OMO-BSL806N-L6327-126

        IGBT Transistors MOSFET N-Ch 20V 2.3A TSOP-6
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        1000
        0,21 $
        205,20 $
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