STW26NM60ND

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

21 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

145 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

25 V

Qg - Gate-Ladung:

54.6 nC

Pd - Verlustleistung:

190 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Rohr

Serie:

STW26NM60ND

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

27.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

14.5 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

69 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

22 ns

Gewichtseinheit:

1.340411 oz

Tags

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