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APTGT100H60T3G

APTGT100H60T3G
Mfr. #:
APTGT100H60T3G
Hersteller:
Microchip / Microsemi
Beschreibung:
IGBT Modules DOR CC3006
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
APTGT100H60T3G Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
APTGT100H60T3G DatasheetAPTGT100H60T3G Datasheet (P4-P6)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Mikrochip
Produktkategorie:
IGBT-Module
RoHS:
Y
Produkt:
IGBT Silizium Module
Aufbau:
Quad
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
600 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:
1.5 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 C:
150 A
Gate-Emitter-Leckstrom:
400 nA
Pd - Verlustleistung:
340 W
Paket / Koffer:
SP-3
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Verpackung:
Rohr
Höhe:
11.5 mm
Länge:
73.4 mm
Betriebstemperaturbereich:
- 40 C to + 175 C
Breite:
40.8 mm
Marke:
Mikrochip / Mikrosemi
Montageart:
Chassishalterung
Maximale Gate-Emitter-Spannung:
20 V
Produktart:
IGBT-Module
Werkspackungsmenge:
1
Unterkategorie:
IGBTs
Tags
APTGT100H, APTGT10, APTGT1, APTGT, APTG, APT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
APTGT100x Series 600 V 150 A Trench + Field Stop IGBT3 Power Module - SP3
***et
Trans IGBT Module N-CH 600V 150A 32-Pin Case SP3
***i-Key
IGBT FULL BRIDGE 600V 150A SP3
***hardson RFPD
POWER IGBT TRANSISTOR
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
APTGT100H60T3G
DISTI # APTGT100H60T3G-ND		Microsemi CorporationIGBT FULL BRIDGE 600V 150A SP3
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk		15In Stock
  • 100:$67.2445
  • 25:$71.0872
  • 10:$74.4490
  • 1:$79.2500
APTGT100H60T3G
DISTI # APTGT100H60T3G		Microchip Technology IncTrans IGBT Module N-CH 600V 150A 32-Pin Case SP3 - Rail/Tube (Alt: APTGT100H60T3G)
RoHS: Compliant
Min Qty: 100
Container: Tube		Americas - 0
  • 100:$55.0900
  • 102:$53.1900
  • 202:$51.4900
  • 500:$49.9900
  • 1000:$49.1900
APTGT100H60T3G
DISTI # 494-APTGT100H60T3G		Microsemi CorporationIGBT Modules Power Module - IGBT
RoHS: Compliant		35
  • 1:$77.5800
  • 5:$75.1500
  • 10:$72.8700
  • 25:$69.5900
  • 50:$67.6500
  • 100:$65.8200
APTGT100H60T3G
DISTI # APTGT100H60T3G		Microsemi CorporationPOWER IGBT TRANSISTOR
RoHS: Compliant		0
  • 10:$69.9800
  • 50:$68.1700
  • 100:$50.7300
Bild Teil # Beschreibung
ADUM4190TRIZ

Mfr.#: ADUM4190TRIZ

OMO.#: OMO-ADUM4190TRIZ

 Isolation Amplifiers 5kV High Stability Isolated Error Amp
ADUM4190TRIZ

Mfr.#: ADUM4190TRIZ

OMO.#: OMO-ADUM4190TRIZ-ANALOG-DEVICES-INC-ADI

 Isolation Amplifiers 5kV High Stability Isolated Error Amp
Verfügbarkeit
Aktie:
35
Auf Bestellung:
2018
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
92,21 $
92,21 $
5
89,24 $
446,20 $
10
86,45 $
864,50 $
25
82,41 $
2 060,25 $
50
80,67 $
4 033,50 $
100
77,81 $
7 781,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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