FQU2N50BTU

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

E

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-251-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

500 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

5.3 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.5 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

6.3 mm

Länge:

6.8 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

2.5 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

1.3 S

Abfallzeit:

20 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

25 ns

Werkspackungsmenge:

70

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

10 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

FQU2N50BT, FQU2N50B, FQU2N5, FQU2N, FQU2, FQU