FDB8160-F085

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

80 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.9 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

187 nC

Pd - Verlustleistung:

254 W

Aufbau:

Single

Handelsname:

PowerTrench

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.83 mm

Länge:

10.67 mm

Serie:

FDB8160_F085

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

9.65 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Abfallzeit:

27 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

18.9 ns

Werkspackungsmenge:

800

Unterkategorie:

MOSFETs

Teil # Aliase:

FDB8160_F085

Gewichtseinheit:

0.046296 oz

Tags

FDB816, FDB81, FDB8, FDB