SIHD3N50D-E3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

500 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.2 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

6 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

69 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

2.38 mm

Länge:

6.73 mm

Serie:

D

Breite:

6.22 mm

Marke:

Vishay / Siliconix

Abfallzeit:

13 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

9 ns

Werkspackungsmenge:

75

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

11 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12 ns

Gewichtseinheit:

0.011993 oz

Tags

SIHD3, SIHD, SIH