PBSS5350SS,115

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Nexperia

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Dual

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

50 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

50 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

2.7 A

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

200 at 100 mA, 2 V

Höhe:

1.45 mm

Länge:

5 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

4 mm

Marke:

Nexperia

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

200 at 100 mA, 2 V, 200 at 500 mA, 2 V, 180 at 1 A, 2 V, 130 at 2 A, 2 V, 95 at 2.7 A, 2 V

Pd - Verlustleistung:

1430 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Qualifikation:

AEC-Q101

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

PBSS5350SS T/R

Tags

PBSS5350SS, PBSS5350S, PBSS5350, PBSS535, PBSS53, PBSS5, PBSS, PBS