IRF7353D1TRPBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

6.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

46 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

22 nC

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.75 mm

Länge:

4.9 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

3.9 mm

Marke:

Infineon / IR

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Teil # Aliase:

SP001566326

Gewichtseinheit:

0.019048 oz

Tags

IRF7353D1T, IRF7353D1, IRF7353, IRF735, IRF73, IRF7, IRF