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TK31E60W,S1VX

TK31E60W,S1VX
Mfr. #:
TK31E60W,S1VX
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
MOSFET N-Ch 30.8A 290W FET 600V 3000pF 86nC
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TK31E60W,S1VX Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
TK31E60W,S1VX DatasheetTK31E60W,S1VX Datasheet (P4-P6)TK31E60W,S1VX Datasheet (P7-P9)TK31E60W,S1VX Datasheet (P10)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
TK31E60W,S1VX Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-220-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
600 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
30.8 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
73 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
3.7 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
30 V
Qg - Gate-Ladung:
86 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
230 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
DTMOSIV
Höhe:
15.1 mm
Länge:
10.16 mm
Serie:
TK31E60W
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
4.45 mm
Marke:
Toshiba
Abfallzeit:
8.5 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
32 ns
Werkspackungsmenge:
50
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
165 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
70 ns
Gewichtseinheit:
0.211644 oz
Tags
TK31E60W,S, TK31E60W, TK31E, TK31, TK3
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
***i-Key
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
***et
DTMOSIV_600V_88MOHM MAX(VGS=10V)_TO-220
***
600V N-CH 30.8A 290W FET
Gen-4 Super Junction DTMOS MOSFETs
Toshiba Gen-4 Super-Junction DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, DTMOSIV which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. With a reduction in the RDS(on) it makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve the efficiency and reduce the size of power supplies. These devices are ideal for use with switching regulators.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
TK31E60W,S1VX
DISTI # V99:2348_13896173		Toshiba America Electronic ComponentsX35 PB-F POWER MOSFET TRANSIST50
  • 2500:$3.6840
  • 1000:$3.7920
  • 500:$4.3040
  • 250:$4.6970
  • 100:$5.0910
  • 50:$5.5940
  • 10:$6.0950
  • 1:$6.6990
TK31E60W,S1VX
DISTI # TK31E60WS1VX-ND		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFET N CH 600V 30.8A TO-220
RoHS: Compliant
Min Qty: 50
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 50:$6.7424
TK31E60W,S1VX
DISTI # 30524838		Toshiba America Electronic ComponentsX35 PB-F POWER MOSFET TRANSIST50
  • 50:$5.5839
  • 10:$6.0839
  • 2:$6.6860
TK31E60WS1VX
DISTI # TK31E60W,S1VX		Toshiba America Electronic ComponentsTrans MOSFET N 600V 30.8A 3-Pin TO-220 Tube - Rail/Tube (Alt: TK31E60W,S1VX)
RoHS: Compliant
Min Qty: 50
Container: Tube		Americas - 0
  • 50:$4.5900
  • 100:$4.3900
  • 200:$4.0900
  • 300:$3.8900
  • 500:$3.7900
TK31E60W,S1VX
DISTI # 757-TK31E60WS1VX		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFET N-Ch 30.8A 290W FET 600V 3000pF 86nC
RoHS: Compliant		57
  • 1:$7.6300
  • 10:$6.8700
  • 50:$6.2600
  • 100:$5.6500
  • 250:$5.1900
  • 500:$4.7300
  • 1000:$4.1200
TK31E60W,S1VX(S
DISTI # 8912958		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFETDTMOS4600V/31ATO220, PK24
  • 2:£2.6000
  • 10:£2.2900
  • 20:£2.0000
  • 50:£1.8700
  • 100:£1.7700
TK31E60W,S1VX(S
DISTI # 8276182P		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFETDTMOS4600V/31ATO220, BG334
  • 10:£2.2900
  • 20:£2.0000
  • 50:£1.8700
  • 100:£1.7850
TK31E60W,S1VX(S)
DISTI # C1S751201082491		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFETs50
  • 50:$8.4400
  • 10:$8.8400
TK31E60W,S1VX
DISTI # C1S751200875751		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFETs50
  • 50:$5.5839
  • 10:$6.0839
  • 1:$6.6860
TK31E60W,S1VXToshiba America Electronic ComponentsMOSFET N-Ch 30.8A 290W FET 600V 3000pF 86nC
RoHS: Compliant		Americas -
    TK31E60WS1VXToshiba America Electronic ComponentsMOSFET N-CH 30.8A 290W FET 600V
    RoHS: Compliant    		Americas -
      Bild Teil # Beschreibung
      2N7002

      Mfr.#: 2N7002

      OMO.#: OMO-2N7002

      		 MOSFET N-CHANNEL 60V 115mA
      TL431BIDBZR

      Mfr.#: TL431BIDBZR

      OMO.#: OMO-TL431BIDBZR

      		 Voltage References Adjustable Precision Shunt Regulator
      CSD18540Q5B

      Mfr.#: CSD18540Q5B

      OMO.#: OMO-CSD18540Q5B

      		 MOSFET 60V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
      UCC24612-2DBVR

      Mfr.#: UCC24612-2DBVR

      OMO.#: OMO-UCC24612-2DBVR

      		 Switching Controllers SYNC RECTIFIER FLYBACK
      UCC25630-3DDBT

      Mfr.#: UCC25630-3DDBT

      OMO.#: OMO-UCC25630-3DDBT

      		 Switching Controllers LLC Resonant Controller
      EMK107BB7225KA-T

      Mfr.#: EMK107BB7225KA-T

      OMO.#: OMO-EMK107BB7225KA-T

      		 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0603 16VDC 2.2uF 10% X7R
      AWR1642BOOST

      Mfr.#: AWR1642BOOST

      OMO.#: OMO-AWR1642BOOST-TEXAS-INSTRUMENTS

      		 AWR1642 BOOSTER PACK
      2N7002

      Mfr.#: 2N7002

      OMO.#: OMO-2N7002-ON-SEMICONDUCTOR

      		 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
      EMK107BB7225KA-T

      Mfr.#: EMK107BB7225KA-T

      OMO.#: OMO-EMK107BB7225KA-T-TAIYO-YUDEN

      		 CAP CER 2.2UF 16V X7R 0603
      TL431BIDBZR

      Mfr.#: TL431BIDBZR

      OMO.#: OMO-TL431BIDBZR-TEXAS-INSTRUMENTS

      		 Voltage References Adjustable Precision Shunt Regulato
      Verfügbarkeit
      Aktie:
      29
      Auf Bestellung:
      2012
      Menge eingeben:
      Der aktuelle Preis von TK31E60W,S1VX dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
      Referenzpreis (USD)
      Menge
      Stückpreis
      ext. Preis
      1
      7,63 $
      7,63 $
      10
      6,87 $
      68,70 $
      50
      6,26 $
      313,00 $
      100
      5,65 $
      565,00 $
      250
      5,19 $
      1 297,50 $
      500
      4,73 $
      2 365,00 $
      1000
      4,12 $
      4 120,00 $
      2500
      3,97 $
      9 925,00 $
      Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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