AUIRLU3114Z

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-251-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

130 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.9 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

16 V

Qg - Gate-Ladung:

56 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

140 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Rohr

Höhe:

6.22 mm

Länge:

6.73 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

2.38 mm

Marke:

Infineon / IR

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

98 S

Abfallzeit:

50 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

140 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

33 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

25 ns

Teil # Aliase:

SP001516750

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

AUIRLU, AUIRL, AUIR, AUI