DMN63D8LDWQ-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-363-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

220 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.8 Ohms, 2.8 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

800 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

870 pC, 870 pC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

300 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Serie:

DMN63

Transistortyp:

2 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

80 mS, 80 mS

Abfallzeit:

6.3 ns, 6.3 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3.2 ns, 3.2 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

12 ns, 12 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3.3 ns, 3.3 ns

Gewichtseinheit:

0.000265 oz

Tags

DMN63D8LD, DMN63D8, DMN63D, DMN63, DMN6, DMN