FQB8N60CTM-WS

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.75 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.2 Ohms

Aufbau:

Single

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.83 mm

Länge:

10.67 mm

Serie:

QFET

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

9.65 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

800

Unterkategorie:

MOSFETs

Teil # Aliase:

FQB8N60CTM_WS

Tags

FQB8N60CT, FQB8N60C, FQB8N6, FQB8N, FQB8, FQB