CSD19532Q5BT

CSD19532Q5BT
Mfr. #:
CSD19532Q5BT
Beschreibung:
MOSFET 100V, N ch NexFET MOSFETG , single SON5x6, 4.9mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
CSD19532Q5BT Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
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T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
CSD19532Q5BT Mehr Informationen CSD19532Q5BT Product Details
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Texas Instruments
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
VSON-Clip-8
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
100 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
100 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
4.9 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
2.6 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Qg - Gate-Ladung:
48 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
3.1 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
NexFET
Verpackung:
Spule
Höhe:
1 mm
Länge:
6 mm
Serie:
CSD19532Q5B
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
5 mm
Marke:
Texas Instruments
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
84 S
Abfallzeit:
6 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
6 ns
Werkspackungsmenge:
250
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
22 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
7 ns
Gewichtseinheit:
0.003714 oz
Tags
CSD19532, CSD1953, CSD19, CSD1, CSD
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Packaging Boxes
***as Instruments
100-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 4.9 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
***as Instr.
This 100 V, 4 mΩ, SON 5-mm × 6-mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.
NexFET N-Channel Power MOSFETs
OMO Electronic NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra low Qg and Qd and low thermal resistance. These devices are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.
TI N-Channel 8-23-12
NexFET™ Power MOSFETs
OMO Electronic NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. This combination was not previously possible with existing silicon platforms. OMO Electronic NexFET™ Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.
Bild Teil # Beschreibung
25AA010AT-I/OT

Mfr.#: 25AA010AT-I/OT

OMO.#: OMO-25AA010AT-I-OT

EEPROM 1K 128X8 1.8V SER EE IND
TPS2492PWR

Mfr.#: TPS2492PWR

OMO.#: OMO-TPS2492PWR

Hot Swap Voltage Controllers Pos Hi-Vltg Pwr-Ltd Hotswap Controller
UCC27511ADBVR

Mfr.#: UCC27511ADBVR

OMO.#: OMO-UCC27511ADBVR

Gate Drivers Single Driver
TPD1E10B06QDPYRQ1

Mfr.#: TPD1E10B06QDPYRQ1

OMO.#: OMO-TPD1E10B06QDPYRQ1

TVS Diodes / ESD Suppressors Automotive 1-channel ESD in 0402 package with 12pF capacitance and 6V breakdown 2-X1SON -40 to 125
MCP23017T-E/SS

Mfr.#: MCP23017T-E/SS

OMO.#: OMO-MCP23017T-E-SS

Interface - I/O Expanders 16bit Input/Output Exp I2C interface
CSD19537Q3T

Mfr.#: CSD19537Q3T

OMO.#: OMO-CSD19537Q3T

MOSFET 100V, N ch NexFET MOSFETG , single SON3x3, 14.5mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
LVT12R0100FER

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OMO.#: OMO-LVT12R0100FER

Current Sense Resistors - SMD 0.01 ohm 1% 1.0W Current Sense
08055C272KAT2A

Mfr.#: 08055C272KAT2A

OMO.#: OMO-08055C272KAT2A

Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 50V 2700pF X7R 0805 10% Tol
08055C272KAT2A

Mfr.#: 08055C272KAT2A

OMO.#: OMO-08055C272KAT2A-AVX

Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0805 2700pF 50volts X7R 10%
TPS2492PWR

Mfr.#: TPS2492PWR

OMO.#: OMO-TPS2492PWR-TEXAS-INSTRUMENTS

IC CTRLR HOT SWAP POS HV 14TSSOP
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
1985
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