FQN1N60CBU

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

300 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

9.3 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Schüttgut

Höhe:

5.33 mm

Länge:

5.2 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

4.19 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

0.75 S

Abfallzeit:

27 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

21 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

13 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7 ns

Gewichtseinheit:

0.006314 oz

Tags

FQN1N60C, FQN1N6, FQN1, FQN