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DMG3N60SCT

DMG3N60SCT
Mfr. #:
DMG3N60SCT
Hersteller:
Diodes Incorporated
Beschreibung:
MOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
DMG3N60SCT Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Eingebaute Dioden
Produktkategorie:
MOSFET
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-220AB-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
600 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
3.3 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
2.7 Ohms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
2 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
30 V
Qg - Gate-Ladung:
12.6 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
104 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Rohr
Transistortyp:
1 N-Channel
Marke:
Eingebaute Dioden
Abfallzeit:
28 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
22 ns
Werkspackungsmenge:
50
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
34 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
10.6 ns
Gewichtseinheit:
0.063493 oz
Tags
DMG3, DMG
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
MOSFET BVDSS: 501V~650V TO220AB TUBE 50PCS
***ronik
N-CH 600V 3,3A 3500mOhm TO220AB
Bild Teil # Beschreibung
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Mfr.#: FQP4N80

OMO.#: OMO-FQP4N80-ON-SEMICONDUCTOR

 MOSFET N-CH 800V 3.9A TO-220
Verfügbarkeit
Aktie:
230
Auf Bestellung:
2213
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0,89 $
10
0,75 $
7,53 $
100
0,58 $
57,80 $
500
0,51 $
255,50 $
1000
0,40 $
404,00 $
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