STL33N60M6

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PowerFLAT-8x8-5

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

21 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

137 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3.25 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

33.4 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

150 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

7.5 ns

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

33 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

38.5 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

19.5 ns

Tags

STL33N60M, STL33N60, STL33, STL3, STL