SIJ400DP

SIJ400DP
Mfr. #:
SIJ400DP
Hersteller:
VISHAY
Beschreibung:
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SIJ400DP Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
VISHAY
Produktkategorie
FETs - Einzeln
Serie
TrenchFET
Verpackung
Band & Spule (TR)
Teilestatus
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C
32A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein)
4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ ID
2.5V @ 250A
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
7765pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
5W (Ta), 69.4W (Tc)
Rds On (Max) @ ID, Vgs
4 mOhm @ 20A, 10V
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Gerätepaket des Lieferanten
PowerPAK SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK SO-8
Tags
SIJ40, SIJ4, SIJ
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SIJ400DP-T1-GE3
DISTI # SIJ400DP-T1-GE3-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SIJ400DP-T1-GE3
    DISTI # 781-SIJ400DP-GE3
    Vishay IntertechnologiesMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIR466DP-T1-GE3
    RoHS: Compliant
    0
      Bild Teil # Beschreibung
      SIJ470DP-T1-GE3

      Mfr.#: SIJ470DP-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SIJ470DP-T1-GE3

      MOSFET 100V 9.1mOhm@10V 58.8A N-CH
      SIJ478DP-T1-GE3

      Mfr.#: SIJ478DP-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SIJ478DP-T1-GE3

      MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
      SIJ420DP-T1-GE3

      Mfr.#: SIJ420DP-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SIJ420DP-T1-GE3

      MOSFET N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
      SIJ478DP-T1-GE3

      Mfr.#: SIJ478DP-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SIJ478DP-T1-GE3-VISHAY

      RF Bipolar Transistors MOSFET 80V 8.0mOhm@10V 60A N-CH
      SIJ458DP-T1-GE3

      Mfr.#: SIJ458DP-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SIJ458DP-T1-GE3-VISHAY

      RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 60A 69.4W
      SIJ462DP-T1-GE3

      Mfr.#: SIJ462DP-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SIJ462DP-T1-GE3-VISHAY

      RF Bipolar Transistors MOSFET 60V 8.0mOhm@10V 46.5A N-CH
      SIJ438ADP-T1-GE3

      Mfr.#: SIJ438ADP-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SIJ438ADP-T1-GE3-VISHAY

      MOSFET N-CHAN 40-V POWERPAK SO-8
      SIJ400

      Mfr.#: SIJ400

      OMO.#: OMO-SIJ400-1190

      Neu und Original
      SIJ458DP-T1

      Mfr.#: SIJ458DP-T1

      OMO.#: OMO-SIJ458DP-T1-1190

      Neu und Original
      SIJ478DPT1GE3

      Mfr.#: SIJ478DPT1GE3

      OMO.#: OMO-SIJ478DPT1GE3-1190

      Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 80V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
      Verfügbarkeit
      Aktie:
      Available
      Auf Bestellung:
      3000
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