US6J12TCR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-363T-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

12 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

105 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

300 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

7.6 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

2 P-Channel

Marke:

ROHM Halbleiter

Abfallzeit:

25 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

80 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9 ns

Teil # Aliase:

US6J12

Tags

US6J1, US6J, US6