US6J2TR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-363T-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

570 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Pd - Verlustleistung:

1 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.77 mm

Länge:

2 mm

Serie:

US6J2

Transistortyp:

2 P-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

1.7 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

Abfallzeit:

10 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

8 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

25 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9 ns

Teil # Aliase:

US6J2

Gewichtseinheit:

0.000265 oz

Tags

US6J2TR, US6J2T, US6J2, US6J, US6