BSS123T-HF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Comchip-Technologie

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

190 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

5.6 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

100 V

Qg - Gate-Ladung:

2.8 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

300 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Abschlussart:

SMD/SMT

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Comchip-Technologie

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

15.2 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

10.2 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4.2 ns

Tags

BSS123T, BSS123, BSS12, BSS1, BSS