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BUZ31L

BUZ31L
Mfr. #:
BUZ31L
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET N-Ch 200V 13.5A TO220-3
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
BUZ31L Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Infineon
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
GaN
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-220-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
200 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
13.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
200 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
95 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Rohr
Höhe:
15.65 mm
Länge:
10 mm
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
4.4 mm
Marke:
Infineon-Technologien
Abfallzeit:
65 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
80 ns
Werkspackungsmenge:
500
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
210 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
25 ns
Teil # Aliase:
BUZ31LXK
Gewichtseinheit:
0.211644 oz
Tags
BUZ31L, BUZ31, BUZ3, BUZ
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et Europe
Trans MOSFET N-CH 200V 13.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
***i-Key
MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220AB
***ronik
N-CH 200V 14A 200mOhm TO220-3 RoHSconf
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
BUZ31 H3045A
DISTI # BUZ31H3045ATR-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 200V 14.5A TO263
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tape & Reel (TR)		1000In Stock
  • 1000:$0.8732
BUZ31L
DISTI # BUZ31LIN-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 200V 13.5A TO220AB
RoHS: Compliant
Min Qty: 500
Container: Tube		Limited Supply - Call
    BUZ31L E3044A
    DISTI # BUZ31LE3044A-ND    		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 200V 13.5A TO-220
    RoHS: Not compliant
    Min Qty: 1000
    Container: Tape & Reel (TR)    		Limited Supply - Call
      BUZ31L H
      DISTI # BUZ31LH-ND      		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 500
      Container: Tube      		Limited Supply - Call
        BUZ31LHXKSA1
        DISTI # 85X4161        		Infineon Technologies AGMOSFET Transistor, N Channel, 13.5 A, 200 V, 0.16 ohm, 5 V, 1.6 V RoHS Compliant: Yes0
          BUZ31L
          DISTI # 726-BUZ31L          		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 200V 13.5A TO220-3
          RoHS: Compliant          		0
            BUZ31L H
            DISTI # 726-BUZ31LH            		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 200V 13.5A TO220-3
            RoHS: Compliant            		0
              Bild Teil # Beschreibung
              BUZ100S-4

              Mfr.#: BUZ100S-4

              OMO.#: OMO-BUZ100S-4-1190

              		 Neu und Original
              BUZ100SL E3045A

              Mfr.#: BUZ100SL E3045A

              OMO.#: OMO-BUZ100SL-E3045A-1190

              		 Neu und Original
              BUZ111

              Mfr.#: BUZ111

              OMO.#: OMO-BUZ111-1190

              		 Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
              BUZ31

              Mfr.#: BUZ31

              OMO.#: OMO-BUZ31-INFINEON-TECHNOLOGIES

              		 MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220AB
              BUZ31 , MAX6482BL33BD3

              Mfr.#: BUZ31 , MAX6482BL33BD3

              OMO.#: OMO-BUZ31-MAX6482BL33BD3-1190

              		 Neu und Original
              BUZ51

              Mfr.#: BUZ51

              OMO.#: OMO-BUZ51-1190

              		 Neu und Original
              BUZ76A

              Mfr.#: BUZ76A

              OMO.#: OMO-BUZ76A-1190

              		 Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 400V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
              BUZ905P

              Mfr.#: BUZ905P

              OMO.#: OMO-BUZ905P-1190

              		 P CHANNEL MOSFET, -160V, -8A, TO-247, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-8A, Drain Source Voltage Vds:-160V, On Resistance Rds(on):1.5ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-, Th
              BUZ90A/AF

              Mfr.#: BUZ90A/AF

              OMO.#: OMO-BUZ90A-AF-1190

              		 Neu und Original
              BUZZER KW35T29A05L55C-K0

              Mfr.#: BUZZER KW35T29A05L55C-K0

              OMO.#: OMO-BUZZER-KW35T29A05L55C-K0-1190

              		 Neu und Original
              Verfügbarkeit
              Aktie:
              Available
              Auf Bestellung:
              5500
              Menge eingeben:
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