IXTP3N100P

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.8 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4.8 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

39 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

125 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

Polar

Verpackung:

Rohr

Höhe:

16 mm

Länge:

10.66 mm

Serie:

IXTP3N100

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

Polarer Leistungs-MOSFET

Breite:

4.83 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

1.5 S

Abfallzeit:

29 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

27 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

75 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

22 ns

Gewichtseinheit:

0.081130 oz

Tags

IXTP3N1, IXTP3N, IXTP3, IXTP, IXT