DMC31D5UDJ-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-963-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

220 mA, 200 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.3 Ohms, 5.1 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Qg - Gate-Ladung:

380 pC, 350 pC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

350 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

DMC31

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

7.5 ns, 8.7 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

2.2 ns, 5.2 ns

Werkspackungsmenge:

10000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

21 ns, 18.8 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3.2 ns, 3.5 ns

Tags

DMC31D5UDJ, DMC31D, DMC31, DMC3, DMC