NTMFS4C55NT1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-FL-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

21.7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.7 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

14 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

33 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Länge:

6 mm

Serie:

NTMFS4C55N

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

5 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

68 S

Entwicklungs-Kit:

-

Abfallzeit:

7 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

32 ns

Werkspackungsmenge:

1500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

21 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11 ns

Gewichtseinheit:

0.019048 oz

Tags

NTMFS4C5, NTMFS4C, NTMFS4, NTMFS, NTMF, NTM