NTMFS4C50NT1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-FL-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

78 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.4 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

30 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.57 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Spule

Serie:

NTMFS4C50N

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

ON Semiconductor

Abfallzeit:

7 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

32 ns

Werkspackungsmenge:

1500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

21 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11 ns

Tags

NTMFS4C5, NTMFS4C, NTMFS4, NTMFS, NTMF, NTM