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IXBH42N170A

IXBH42N170A
Mfr. #:
IXBH42N170A
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
IGBT Transistors BIMOSET 42A 1700V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXBH42N170A Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXBH42N170A DatasheetIXBH42N170A Datasheet (P4-P6)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
IXBH42N170A Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Paket / Koffer:
TO-247-3
Montageart:
Durchgangsloch
Aufbau:
Single
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
1700 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:
5.2 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:
20 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Serie:
IXBH42N170
Verpackung:
Rohr
Kontinuierlicher Kollektorstrom Ic Max:
42 A
Höhe:
21.46 mm
Länge:
16.26 mm
Breite:
5.3 mm
Marke:
IXYS
Kontinuierlicher Kollektorstrom:
42 A
Produktart:
IGBT-Transistoren
Werkspackungsmenge:
30
Unterkategorie:
IGBTs
Handelsname:
BIMOSFET
Gewichtseinheit:
0.229281 oz
Tags
IXBH42, IXBH4, IXBH, IXB
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
IXBH Series 1700 V 42 A 188 nC Flange Mount BIMOSET Transistor - TO-247
***el Electronic
Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
***DA Technology Co., Ltd.
Product Description Demo for Development.
IXBH42N170 & IXBT42N170 IGBT Power Transistors
IXBH42N170 and IXBT42N170 IGBT Power Transistors are BIMOSFET™ Monolithic Bipolar MOS Transistors featuring high blocking voltage, fast switching, a high current handling capability, and MOS Gate turn-on for drive simplicity. IXYS IGBT Power Transistors are useful for a wide variety of applications, including AC motor speed control, uninterruptible power supplies (UPS), switched-mode and resonant-mode power supplies, capacitor discharge circuits, laser generators, AC switches, and pulser circuits.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXBH42N170A
DISTI # IXBH42N170A-ND		IXYS CorporationIGBT 1700V 42A 357W TO247
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 30:$18.8317
IXBH42N170A
DISTI # 747-IXBH42N170A		IXYS CorporationIGBT Transistors BIMOSET 42A 1700V
RoHS: Compliant		0
  • 1:$21.1000
  • 5:$20.0500
  • 10:$19.5200
  • 25:$17.9400
  • 50:$17.5000
  • 100:$16.6700
  • 250:$15.3000
  • 500:$14.5600
Bild Teil # Beschreibung
UJ3N120035K3S

Mfr.#: UJ3N120035K3S

OMO.#: OMO-UJ3N120035K3S

 JFET 35m? - 1200V SiC Normally-On JFET
NVD5117PLT4G-VF01

Mfr.#: NVD5117PLT4G-VF01

OMO.#: OMO-NVD5117PLT4G-VF01

 MOSFET PFET DPAK 60V 61A 16MOHM
UCC28704DBVR-1

Mfr.#: UCC28704DBVR-1

OMO.#: OMO-UCC28704DBVR-1

 AC/DC Converters Dragongfly- PSR Controller w/t Output UV
UCC28742DBVR

Mfr.#: UCC28742DBVR

OMO.#: OMO-UCC28742DBVR

 Switching Controllers UCC28742DBVR
MPM3632CGQV-P

Mfr.#: MPM3632CGQV-P

OMO.#: OMO-MPM3632CGQV-P

 Switching Voltage Regulators 18V 3A Step-Down Regulator Module
FA20X7S1H106KRU06

Mfr.#: FA20X7S1H106KRU06

OMO.#: OMO-FA20X7S1H106KRU06

 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - Leaded 50V 10uF X7S 10% RAD LS:5mm AEC-Q200
ICE40UP5K-B-EVN

Mfr.#: ICE40UP5K-B-EVN

OMO.#: OMO-ICE40UP5K-B-EVN-LATTICE-SEMICONDUCTOR

 ICE40 ULTRAPLUS BREAKOUT BOARD
NVD5117PLT4G-VF01

Mfr.#: NVD5117PLT4G-VF01

OMO.#: OMO-NVD5117PLT4G-VF01-ON-SEMICONDUCTOR

 MOSFET P-CH 60V 61A DPAK
UCC28742DBVR

Mfr.#: UCC28742DBVR

OMO.#: OMO-UCC28742DBVR-TEXAS-INSTRUMENTS

 UCC28742DBVR
CSD18535KTT

Mfr.#: CSD18535KTT

OMO.#: OMO-CSD18535KTT-TEXAS-INSTRUMENTS

 MOSFET N-CH 60V 200A
Verfügbarkeit
Aktie:
49
Auf Bestellung:
2032
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
21,10 $
21,10 $
5
20,05 $
100,25 $
10
19,52 $
195,20 $
25
17,94 $
448,50 $
50
17,50 $
875,00 $
100
16,67 $
1 667,00 $
250
15,30 $
3 825,00 $
500
14,56 $
7 280,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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