BSL215C H6327

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSOP-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

108 mOhms, 102 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

700 mV, 1.2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Qg - Gate-Ladung:

730 pC, - 3 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

500 mW (1/2 W)

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

3 mm

Serie:

BSL215

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Breite:

1.5 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

4 S, 4.5 S

Abfallzeit:

1.4 ns, 14 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

7.6 ns, 9.7 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

6.8 ns, 14.5 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4.1 ns, 6.7 ns

Teil # Aliase:

BSL215CH6327XTSA1 SP001101000

Gewichtseinheit:

0.000529 oz

Tags

BSL215CH, BSL215C, BSL215, BSL21, BSL2, BSL