DMP21D6UFB4-7B

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

X2-DFN1006-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

580 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

0.8 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

0.98 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

19.2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4.3 ns

Werkspackungsmenge:

10000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

20.2 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

8.5 ns

Tags

DMP21D, DMP21, DMP2, DMP