IXFK50N85X

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-264-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

850 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

50 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

105 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

152 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

890 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

HiPerFET

Verpackung:

Rohr

Serie:

X-Klasse

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

19 S

Abfallzeit:

14 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

30 ns

Werkspackungsmenge:

25

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

69 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

27 ns

Tags

IXFK50, IXFK5, IXFK, IXF