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IRFU1018EPBF

IRFU1018EPBF
Mfr. #:
IRFU1018EPBF
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
Darlington Transistors MOSFET MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IRFU1018EPBF Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IRFU1018EPBF DatasheetIRFU1018EPBF Datasheet (P4-P6)IRFU1018EPBF Datasheet (P7-P9)IRFU1018EPBF Datasheet (P10)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Internationaler Gleichrichter
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Verpackung
Rohr
Gewichtseinheit
0.139332 oz
Montageart
Durchgangsloch
Paket-Koffer
IPAK-3
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
110 W
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
79 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
60 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
7.1 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Qg-Gate-Ladung
46 nC
Tags
IRFU10, IRFU1, IRFU, IRF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ied Electronics & Automation
IRFU1018EPBF N-channel MOSFET Transistor; 79 A; 60 V; 3-Pin IPAK
***ineon SCT
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package, IPAK-3, RoHS
***nell
MOSFET, N, I-PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 56A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.0071ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 110W; Transistor Case Style: TO-251AA; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: -; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); Current Id Max: 56A; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +175°C; Pulse Current Idm: 315A; Termination Type: Through Hole; Turn Off Time: 55ns; Turn On Time: 13ns; Voltage Vds Typ: 60V; Voltage Vgs Max: 20V; Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IRFU1018EPBF
DISTI # IRFU1018EPBF-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 60V 56A I-PAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 675
Container: Tube		Limited Supply - Call
    IRFU1018EPBF
    DISTI # 70017995    		Infineon Technologies AGIRFU1018EPBF N-channel MOSFET Transistor,79 A,60 V,3-Pin IPAK
    RoHS: Compliant    		0
    • 675:$0.6700
    IRFU1018EPBF
    DISTI # 942-IRFU1018EPBF    		Infineon Technologies AGMOSFET MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
    RoHS: Compliant    		0
      IRFU1018EPBFInternational Rectifier 
      RoHS: Not Compliant      		2625
      • 1000:$0.6000
      • 500:$0.6400
      • 100:$0.6600
      • 25:$0.6900
      • 1:$0.7400
      IRFU1018EPBFInternational Rectifier 
      RoHS: Compliant      		Europe - 890
        IRFU1018EPBF
        DISTI # 1602236        		Infineon Technologies AG 
        RoHS: Compliant        		0
        • 1:$2.3000
        • 10:$2.0500
        • 100:$1.6000
        Bild Teil # Beschreibung
        IRFU1010Z

        Mfr.#: IRFU1010Z

        OMO.#: OMO-IRFU1010Z-INFINEON-TECHNOLOGIES

        		 MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
        IRFU1018EPBF

        Mfr.#: IRFU1018EPBF

        OMO.#: OMO-IRFU1018EPBF-INFINEON-TECHNOLOGIES

        		 Darlington Transistors MOSFET MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
        IRFU1010ZPBF

        Mfr.#: IRFU1010ZPBF

        OMO.#: OMO-IRFU1010ZPBF-INFINEON-TECHNOLOGIES

        		 IGBT Transistors MOSFET MOSFT 55V 91A 7.5mOhm 63nC
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        Available
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        0,90 $
        10
        0,86 $
        8,55 $
        100
        0,81 $
        81,00 $
        500
        0,76 $
        382,50 $
        1000
        0,72 $
        720,00 $
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