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IRFU1010ZPBF

IRFU1010ZPBF
Mfr. #:
IRFU1010ZPBF
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
IGBT Transistors MOSFET MOSFT 55V 91A 7.5mOhm 63nC
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IRFU1010ZPBF Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IRFU1010ZPBF DatasheetIRFU1010ZPBF Datasheet (P4-P6)IRFU1010ZPBF Datasheet (P7-P9)IRFU1010ZPBF Datasheet (P10-P11)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
IR
Produktkategorie
FETs - Einzeln
Verpackung
Rohr
Gewichtseinheit
0.139332 oz
Montageart
Durchgangsloch
Paket-Koffer
IPAK-3
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
140 W
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
91 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
55 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
7.5 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Qg-Gate-Ladung
63 nC
Tags
IRFU10, IRFU1, IRFU, IRF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ernational Rectifier
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package
***S.I.T. Europe - USA - Asia
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
***ark
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes ;RoHS Compliant: Yes
***ment14 APAC
MOSFET, N, I-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:42A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):7.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:140W; Transistor Case Style:I-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:TO-251; Current Id Max:42A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Length:9.65mm; Lead Spacing:2.28mm; No. of Transistors:1; Package / Case:IPAK; Power Dissipation Pd:140W; Power Dissipation Pd:140W; Pulse Current Idm:360A; SMD Marking:IRFU1010ZPBF; Termination Type:Through Hole; Turn Off Time:30ns; Turn On Time:13ns; Voltage Vds Typ:55V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IRFU1010ZPBF
DISTI # IRFU1010ZPBF-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 6525
Container: Tube		Limited Supply - Call
    IRFU1010ZPBF
    DISTI # 70019769    		Infineon Technologies AGMOSFET,55V,91A,7.5 MOHM,63 NC QG,I-PAK
    RoHS: Compliant    		0
    • 6525:$2.4200
    • 13050:$2.3720
    • 32625:$2.2990
    • 65250:$2.2020
    • 163125:$2.0570
    IRFU1010ZPBFInternational Rectifier 
    RoHS: Not Compliant    		4925
    • 1000:$0.5400
    • 500:$0.5700
    • 100:$0.6000
    • 25:$0.6200
    • 1:$0.6700
    IRFU1010ZPBF
    DISTI # 942-IRFU1010ZPBF    		Infineon Technologies AGMOSFET MOSFT 55V 91A 7.5mOhm 63nC
    RoHS: Compliant    		0
      IRFU1010ZPBFInternational Rectifier 
      RoHS: Compliant      		Europe - 2325
        IRFU1010ZPBF
        DISTI # 1013401        		Infineon Technologies AGMOSFET, N, I-PAK
        RoHS: Compliant        		0
        • 1:$3.3300
        • 10:$2.7400
        • 100:$2.2200
        • 500:$1.9800
        • 1000:$1.7600
        • 2500:$1.6400
        Bild Teil # Beschreibung
        IRFU1010Z

        Mfr.#: IRFU1010Z

        OMO.#: OMO-IRFU1010Z-INFINEON-TECHNOLOGIES

        		 MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
        IRFU1018EPBF

        Mfr.#: IRFU1018EPBF

        OMO.#: OMO-IRFU1018EPBF-INFINEON-TECHNOLOGIES

        		 Darlington Transistors MOSFET MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
        IRFU1010ZPBF

        Mfr.#: IRFU1010ZPBF

        OMO.#: OMO-IRFU1010ZPBF-INFINEON-TECHNOLOGIES

        		 IGBT Transistors MOSFET MOSFT 55V 91A 7.5mOhm 63nC
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        Available
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        Menge
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        ext. Preis
        1
        0,70 $
        0,70 $
        10
        0,67 $
        6,70 $
        100
        0,63 $
        63,44 $
        500
        0,60 $
        299,55 $
        1000
        0,56 $
        563,90 $
        Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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