UF3C065040B3

UF3C065040B3
Mfr. #:
UF3C065040B3
Hersteller:
UnitedSiC
Beschreibung:
MOSFET 42mOhm - 650V SiC Cascode
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
UF3C065040B3 Datenblatt
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DHL FedEx Ups TNT EMS
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T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
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Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
UnitedSiC
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
SiC
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
D2PAK-3
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
650 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
41 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
52 mOhms
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Pd - Verlustleistung:
176 W
Aufbau:
Single
Verpackung:
Rohr
Serie:
UF3C
Marke:
UnitedSiC
Produktart:
MOSFET
Werkspackungsmenge:
30
Unterkategorie:
MOSFETs
Tags
UF3C06504, UF3C0, UF3C, UF3
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UF3C High-Performance SiC FETs
United Silicon Carbide UF3C High-Performance SiC FETs are cascode products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode optimized MOSFET to produce the only standard gate drive SiC device in the market today. This series exhibits ultra-low gate charge. These devices are excellent for switching inductive loads, and any application requiring standard gate drive. The F3 SiC fast JFETs series exhibits very fast switching using a TO-247, or D2PAK-3L package. Each device features the best reverse recovery characteristics of any device of similar ratings.
Bild Teil # Beschreibung
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Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
1993
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30,03 $
5
28,68 $
143,40 $
10
27,79 $
277,90 $
25
25,53 $
638,25 $
50
24,93 $
1 246,50 $
100
23,73 $
2 373,00 $
250
21,77 $
5 442,50 $
500
20,72 $
10 360,00 $
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