IRLR3715ZTRPBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

49 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

11 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.55 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

7.2 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

40 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.3 mm

Länge:

6.5 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

6.22 mm

Marke:

Infineon / IR

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

33 S

Abfallzeit:

4.3 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

13 ns

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

10 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7.8 ns

Teil # Aliase:

SP001569124

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

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