ALD110900APAL

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

15 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

240 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

37 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

128 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

SIPMOS

Verpackung:

Rohr

Höhe:

15.65 mm

Länge:

10 mm

Serie:

SPP15P10

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

4.4 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

9.3 S

Abfallzeit:

16 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

23 ns

Werkspackungsmenge:

500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

33 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9.5 ns

Teil # Aliase:

SP000683160 SPP15P10PHXKSA1 SPP15P1PHXK

Gewichtseinheit:

0.211644 oz

Tags

ALD110900, ALD11090, ALD1109, ALD110, ALD11, ALD1, ALD