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SIHFZ48RS-GE3

SIHFZ48RS-GE3
Mfr. #:
SIHFZ48RS-GE3
Hersteller:
Vishay / Siliconix
Beschreibung:
MOSFET 60V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SIHFZ48RS-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Vishay
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TO-263-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
60 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
50 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
18 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
2 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Qg - Gate-Ladung:
110 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Pd - Verlustleistung:
190 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Serie:
SIHFZ
Transistortyp:
1 N-Channel
Marke:
Vishay / Siliconix
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
27 S
Abfallzeit:
250 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
250 ns
Werkspackungsmenge:
1
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
210 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
8.1 ns
Tags
SIHFZ, SIHF, SIH
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Anti-Static Bag
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Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET N-CHANNEL 60V
Bild Teil # Beschreibung
SIHFZ48S-GE3

Mfr.#: SIHFZ48S-GE3

OMO.#: OMO-SIHFZ48S-GE3

 MOSFET 60V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
SIHFZ48RS-GE3

Mfr.#: SIHFZ48RS-GE3

OMO.#: OMO-SIHFZ48RS-GE3

 MOSFET 60V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
SIHFZ48

Mfr.#: SIHFZ48

OMO.#: OMO-SIHFZ48-1190

 Neu und Original
SIHFZ48RS

Mfr.#: SIHFZ48RS

OMO.#: OMO-SIHFZ48RS-1190

 Neu und Original
SIHFZ48S-GE3

Mfr.#: SIHFZ48S-GE3

OMO.#: OMO-SIHFZ48S-GE3-1190

 Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
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1 030,00 $
3000
0,96 $
2 868,00 $
5000
0,92 $
4 605,00 $
10000
0,88 $
8 850,00 $
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