NTTFS4H07NTAG

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

WDFN-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

25 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

66 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.8 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

12.4 nC

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

33.8 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

49 S

Abfallzeit:

1.65 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

28.3 ns

Werkspackungsmenge:

1500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

14.5 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5 ns

Gewichtseinheit:

0.000600 oz

Tags

NTTFS4H07, NTTFS4H, NTTFS4, NTTFS, NTTF, NTT