SIHFL110TR-GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-223-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

540 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

8.3 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

3.1 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Höhe:

1.8 mm

Länge:

6.5 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

3.5 mm

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

1.1 S

Abfallzeit:

9.4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

16 ns

Werkspackungsmenge:

1

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

15 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6.9 ns

Tags

SIHFL, SIHF, SIH