IXTP90N055T2

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

55 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

90 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

7 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

42 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

150 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

HiPerFET

Verpackung:

Rohr

Höhe:

16 mm

Länge:

10.66 mm

Serie:

IXTP90N055

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

TrenchT2 Power MOSFET

Breite:

4.83 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

25 S

Abfallzeit:

19 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

21 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

39 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

19 ns

Gewichtseinheit:

0.081130 oz

Tags

IXTP90N0, IXTP90, IXTP9, IXTP, IXT