NTLJF3117PT1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

WDFN-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

100 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.5 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.75 mm

Länge:

2 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

NTLJF3117P

Transistortyp:

1 P-Channel

Typ:

FETs - MOSFETs

Breite:

2 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

3.1 S

Abfallzeit:

13.2 ns, 15 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

13.2 ns, 15 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

13.7 ns, 19.8 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5.2 ns, 5.5 ns

Tags

NTLJF3117PT, NTLJF3117P, NTLJF3117, NTLJF3, NTLJF, NTLJ, NTL