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GC10MPS12-220

GC10MPS12-220
Mfr. #:
GC10MPS12-220
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung:
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 10A TO-220-2
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
GC10MPS12-220 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
GC10MPS12-220 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
GeneSiC Halbleiter
Produktkategorie:
Schottky-Dioden und Gleichrichter
RoHS:
Y
Produkt:
Schottky-Siliziumkarbid-Dioden
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-220-2
Wenn - Vorwärtsstrom:
54 A
Vrrm - Repetitive Sperrspannung:
1200 V
Vf - Durchlassspannung:
1.5 V
Ifsm - Vorwärtsstoßstrom:
82 A
Aufbau:
Single
Technologie:
SiC
Ir - Gegenstrom:
1 uA
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Verpackung:
Rohr
Marke:
GeneSiC Halbleiter
Pd - Verlustleistung:
388 W
Produktart:
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Werkspackungsmenge:
50
Unterkategorie:
Dioden & Gleichrichter
Vr - Sperrspannung:
1200 V
Tags
GC10M, GC10, GC1
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1200V & 1700V SiC MPS Schottky Diodes
GeneSiC Semiconductor 1200V and 1700V SiC MPS Schottky Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A. Both the 1200V and 1700V Schottky Diodes offer the advantage of paralleling devices without a thermal runaway. Additional features include low reverse recovery current, low device capacitance, and low reverse leakage current. The SiC MPS Schottky Diodes are ideal for a wide range of applications including LED lighting, medical imaging systems, high voltage sensing, and electric vehicles.
Bild Teil # Beschreibung
UJ3D1210TS

Mfr.#: UJ3D1210TS

OMO.#: OMO-UJ3D1210TS

 Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/10A SiC SCHOTTKY DIODE G3
IXDN614SI

Mfr.#: IXDN614SI

OMO.#: OMO-IXDN614SI

 Gate Drivers 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
STPSC10H12D

Mfr.#: STPSC10H12D

OMO.#: OMO-STPSC10H12D

 Schottky Diodes & Rectifiers 1200V Power Schottky Silicon Carbide diode
MSC010SDA120K

Mfr.#: MSC010SDA120K

OMO.#: OMO-MSC010SDA120K

 Schottky Diodes & Rectifiers 1200 V, 10 A SiC SBD
M20-1061000

Mfr.#: M20-1061000

OMO.#: OMO-M20-1061000

 Headers & Wire Housings 10 PIN SIL HOUSING
0372-0-15-15-13-27-10-0

Mfr.#: 0372-0-15-15-13-27-10-0

OMO.#: OMO-0372-0-15-15-13-27-10-0-MILL-MAX

 CONN PIN RCPT .048-.064 SOLDER
IXDN614SI

Mfr.#: IXDN614SI

OMO.#: OMO-IXDN614SI-IXYS-INTEGRATED-CIRCUITS-DIVIS

 Gate Drivers 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
MGJ2D122005SC

Mfr.#: MGJ2D122005SC

OMO.#: OMO-MGJ2D122005SC-MURATA-POWER-SOLUTIONS

 Isolated DC/DC Converters 2W 12Vin 20/-5Vout 80/40mA SIP
STPSC10H12D

Mfr.#: STPSC10H12D

OMO.#: OMO-STPSC10H12D-STMICROELECTRONICS

 DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220AC
M20-1060300

Mfr.#: M20-1060300

OMO.#: OMO-M20-1060300-HARWIN

 Headers & Wire Housings 3 PIN SIL HOUSING
Verfügbarkeit
Aktie:
45
Auf Bestellung:
2028
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
11,15 $
11,15 $
10
10,03 $
100,30 $
50
9,13 $
456,50 $
100
8,25 $
825,00 $
250
7,58 $
1 895,00 $
500
6,91 $
3 455,00 $
1000
6,02 $
6 020,00 $
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