ZVP4525E6TA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-26-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

250 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

197 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

14 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

40 V

Qg - Gate-Ladung:

2.45 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.1 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.3 mm

Länge:

3.1 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

ZVP4525

Transistortyp:

1 P-Channel

Typ:

FET

Breite:

1.8 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

80 mS

Abfallzeit:

3.78 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3.78 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

17.5 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

1.53 ns

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

ZVP4525E6TA, ZVP4525E6T, ZVP4525E, ZVP45, ZVP4, ZVP