RFD8P05

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

N

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-251-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

50 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

300 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

48 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Höhe:

6.3 mm

Länge:

6.8 mm

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

2.5 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Abfallzeit:

20 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

30 ns

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

42 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

16 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

RFD8P05, RFD8P0, RFD8P, RFD8, RFD